Numéro de produit du fabricant:
TSM1NB60CP ROG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM1NB60CP ROG-DG
Description:
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
Description détaillée:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
8702 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12896941
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SOUMETTRE
TSM1NB60CP ROG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
138 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
39W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
TSM1NB60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
TSM1NB60CP ROGCT-DG
TSM1NB60CP ROGDKR-DG
TSM1NB60CP ROGCT
TSM1NB60CPROGDKR
TSM1NB60CP ROGTR-DG
TSM1NB60CPROGCT
TSM1NB60CP ROGTR
TSM1NB60CPROGTR
TSM1NB60CP ROGDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TSM2NB60CH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
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TSM2308CX RFG
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